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삼성전자, 4세대 V낸드 라인업 본격 확대

2017.06.15 11:34


삼성전자가 세계 최고 성능과 높은 신뢰성을 구현한 '4세대(64) 256기가비트(Gb) 3bit V낸드플래시'를 본격 양산하며 서버, PC, 모바일용 등 낸드 제품 전체로 4세대 V낸드 라인업을 확대합니다.

삼성전자 ‘4세대(64) 256Gb 3bit V낸드’(3차원 수직구조 낸드) 칩과 이를 기반으로 한 SSD 제품


삼성전자는 지난 1월 글로벌 B2B 고객들에게 공급을 시작한 4세대 256Gb V낸드 기반 SSD에 이어 모바일용 eUFS, 소비자용 SSD, 메모리카드 등에 4세대 V낸드를 확대하고 올해안에 월간 생산 비중을 50% 이상으로 늘려 글로벌 고객의 수요 증가에 대응해 나갈 계획입니다.


4세대(64단) V낸드에는 '초고집적 셀 구조·공정', '초고속 동작 회로 설계'와 '초고신뢰성 CTF 박막 형성' 등 3가지 혁신 기술이 적용되어 3세대(48단) 제품 대비 속도와 생산성, 전력 효율 모두 30% 이상 향상됐습니다.

 


64단 셀(Cell)을 단일 구조로 완성한 '초고집적 셀 구조, 공정'


V낸드는 데이터를 저장하는 셀을 만들 때 수십 개의 단을 쌓아 올려 위에서부터 하단까지 수십억 개의 미세한 홀(Hole, 구멍)을 균일하게 뚫어 수직으로 셀을 적층하는 '3차원(원통형) CTF 셀 구조'로 되어 있습니다. 


※ 셀(Cell) : 반도체(집적회로)에서 0 또는 1로 표시되는 정보를 저장하는 공간

 

그러나 단수가 높아질수록 형성한 구조가 틀어지거나 최상단과 최하단 셀의 특성 차이가 생기는 등 적층 기술은 물리적 한계가 있었습니다이에 삼성전자는 '9-Hole'이라는 '초고집적 셀 구조·공정' 기술을 개발해 각 층마다 균일한 홀 패턴을 형성하고 전체 단의 하중을 분산해 한계를 극복했습니다.

 

이로써 삼성전자는 4세대 V낸드를 계기로 90단 이상의 수직 적층 한계를 극복해 반도체 칩 하나에 1조개 이상의 정보를 저장하는 '1테라(Tera) 비트 V낸드' 시대를 여는 원천 기술도 확보했습니다.


 

3세대 보다 읽기/쓰기 성능 1.5배 높인 '초고속 동작 회로 설계'


또한 '초고속 동작 회로 설계'로 초당 1기가비트(Gb)의 데이터를 전송하며, 셀에 데이터를 기록하는 속도(tPROG)도 10나노급(Planar, 평면) 낸드 대비 약 4배, 3세대 V낸드보다 약 1.5배 빠른 500μs(마이크로 초, 100만분의 1초) 를 달성했습니다.


4세대(64) V낸드는 빨라진 속도뿐 아니라 동작 전압을 3.3V에서 2.5V로 낮춰 총 소비전력 효율도 30% 이상 높였습니다.



데이터 신뢰성과 특성 수명 개선한 '초고신뢰성 CTF 박막 형성'


특히 원자 단위로 제어할 수 있는 CTF(Charge Trap Flash) 박막을 형성해 셀 크기를 줄이면서도 쓰기·지우기 특성 수명을 높였고, 셀과 셀사이의 데이터 간섭 현상을 최소화하는 제어 기술(채널 박막화)도 구현해 3세대 대비 신뢰성도 20% 향상시켰습니다.

 

삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 경계현 부사장은 "테라 V낸드 시대를 앞당기기 위해 임직원 모두 혁신적인 기술 개발에 전념했다", "향후에도 차세대 제품을 적기에 개발해 글로벌 IT 기업과 소비자의 사용 만족도를 높인 솔루션을 제공하겠다"라고 밝혔습니다.

 

삼성전자는 지난 15년간 '3차원 수직구조 V낸드플래시'를 연구하며 500건 이상의 핵심 특허를 개발해 미국, 일본을 비롯한 세계 각국에 출원을 완료하는 등 메모리 반도체 기술을 선도해 나가고 있습니다.



 

※ 참고자료(4세대 V낸드 설명 이미지)


※  V낸드란? (3차원 수직구조 낸드, 3D Vertical NAND): 전원이 꺼져도 저장된 데이터가 지워지지 않는 비()휘발성을 갖는 플래시 메모리의 일종으로, 삼성전자가 세계 최초로 기존에 단층으로 배열된 셀을 3차원 수직으로 CTF 셀을 적층해 만든 낸드플래시 메모리기존 평면 낸드플래시에 비해 메모리의 속도와 수명 및 전력 효율성이 크게 개선됨.


 3차원 CTF(3D Charge Trap Flash): (Cell) 안에 전하를 저장하는 공간인 '플로팅게이트'를 부도체로 대체하고 구조를 3차원으로 개량해 수직 적층을 용이하게 하는 기술. (관련내용 참고 http://www.samsungsemiconstory.com/434)


 tPROG(Program Time): 지정된 셀들에 데이터를 기록하는데 소요되는 시간낸드는 D램과 달리 데이터 쓰기 작업이 Program Confirm 후 실행되는데 셀 특성이 좋아질수록 tPROG 시간이 줄어든다(Program Command Address Data Program Confirm tPROG Read Status)


 eUFS(embedded Universal Flash Storage): 국제 반도체표준화 기구 '제덱(JEDEC)'의 최신 스토리지 규격인 'UFS 2.1' 인터페이스를 기반으로 만든 모바일기기의 내장 메모리 제품으로 기존 eMMC 5.1 및 외장형 마이크로 SD카드 대비 속도와 소비전력효율을 크게 높인 것이 특징이다.


※ 3세대-4세대 V낸드 비교

 구분

3세대

4세대 

 비고

적층 수

48단 

 64단

 셀 구조 개선

 전송속도

 667 Mbps

 1 Gbps

 속도 50% 향상

 신뢰성

 1.2

신뢰성 20% 향상 

칩 사이즈 

0.7 

생산성 30% 향상 

동작전압 

3.3V 

 2.5V

 동작전압 25% 감소


 삼성전자 V낸드 양산 연혁

 • `13.7  1세대(24) 128Gb MLC 3D V낸드 양산
 • `13.8  1세대(24) 128Gb MLC 3D V낸드 기반 960GB SSD 양산
 • `14.8  2세대(32) 128Gb 3bit 3D V낸드 양산
 • `14.9  2세대(32) V낸드 기반 SSD 양산
 • `15.8  3세대(48) 256Gb 3bit 3D V낸드 양산
 • `16.12 4세대(64) 256Gb 3bit 3D V낸드 양산
 • `17.1  4세대(64) V낸드 기반 SSD 양산


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댓글 3

  1. 나그네2017.06.22 01:42 신고댓글주소수정/삭제댓글쓰기

    와 정말 대단해요
    낸드플래시는 3차원으로 수직구조로 만드는데 시스템반도체 등 다른 반도체는 왜 수직구조로 안만들어요?

    • 삼성반도체이야기2017.06.29 17:38 신고댓글주소수정/삭제댓글쓰기

      안녕하세요, 나그네님. 메모리반도체를 3차원 수직구조로 만드는 것 처럼, 기술은 다르지만 시스템반도체도 입체 구조의 핀펫 공정으로 양산하고 있습니다 ^^
      핀펫 공정에 대해 궁금하시다면 아래 링크를 참고해주세요~
      (http://samsungsemiconstory.tistory.com/1353)

  2. 2017.11.08 21:06댓글주소수정/삭제댓글쓰기

    비밀댓글입니다