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삼성전자, 세계 최초 '3세대 10나노급(1z) D램' 개발

2019.03.21 14:49


삼성전자가 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했습니다.



미세공정 한계 극복, 세계 최고 미세 공정 기반 1z나노 8Gb DDR4 D램 개발 완료


3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 


삼성전자가 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월만에 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램을 개발하며 또 다시 역대 최고 미세 공정 한계를 극복했습니다. 


3세대 10나노급(1z) D램은 초고가의 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰고, 속도 증가로 전력효율 역시 개선되었습니다. 


또한 삼성전자는 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료함으로써 글로벌 IT 고객의 수요를 본격 확대해 나갈 수 있게 됐습니다. 



초고속·초절전 솔루션 확보로 차세대 DDR5/LPDDR5 시장 확대 주도


3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 


삼성전자는 2019년 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하고, 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획입니다. 


또한 삼성전자는 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시켜 나갈 예정입니다. 




삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 되었다."며, "향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것"이라고 강조했습니다. 


한편 삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대하고 있습니다. 


특히 2020년 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 평택에 구축함으로써 초격차 사업 경쟁력을 강화한다는 계획입니다. 



[참고]


□ DDR4 (Double Data Rate4)

D램의 동작속도로 규정하는 반도체의 규격이다. 데이터를 읽고 쓰는 속도에 따라 DDR1, 2, 3, 4, 5로 구분하는데, 숫자가 높아질수록 데이터 처리 속도는 기존 대비 2배씩 빨라진다. 기존 DDR1이 400Mb/s로 동작한다면 DDR2는 2배 속도로 800Mb/s로 동작하고, DDR3는 4배, DDR4는 8배, DDR5는 16배 속도로 작동한다. 주로 서버, PC 등에 사용되며, 이동성이 강조되는 휴대용 디지털 기기에는 저소비전력의 D램인 LPDDR(Low Power Double Data Rate)이 적용된다.

 

□ EUV (Extreme Ultraviolet, 극자외선) 

현재 노광장비에 사용하는 불화아르곤(ArF)을 대체할 수 있는 광원이다. 파장 길이가 기존 불화아르곤의 1/14 미만에 불과해 보다 세밀한 반도체 회로 패턴 구현에 적합하고 복잡한 멀티패터닝 공정을 줄일 수 있어 반도체의 고성능과 생산성을 동시에 확보할 수 있는 장점이 있다.

 

□ 삼성전자 최첨단 D램 상용화 연혁

 • 2009.07월 40나노급 2Gb DDR3 양산

 • 2010.02월 40나노급 4Gb DDR3 양산  

 • 2010.07월 30나노급 2Gb DDR3 양산 

 • 2011.09월 20나노급(2x) 2Gb DDR3 양산 

 • 2012.11월 20나노급(2y) 4Gb DDR3 양산 

 • 2013.11월 20나노급(2y) 6Gb LPDDR3 양산

 (※ 2014.02월 20나노급(2y) 8Gb LPDDR4 양산)

 • 2014.02월 20나노(2z) 4Gb DDR3 양산

 • 2014.10월 20나노(2z) 8Gb DDR4 양산

 • 2014.12월 20나노(2z) 8Gb LPDDR4 양산 

 • 2014.12월 20나노(2z) 8Gb GDDR5 양산  

 • 2015.08월 20나노(2z) 12Gb LPDDR4 양산

 • 2016.02월 10나노급(1x) 8Gb DDR4 양산  

 • 2016.09월 10나노급(1x) 16Gb LPDDR4/4X 양산

 • 2017.11월 10나노급(1y) 8Gb DDR4 양산

 • 2019.하반기 10나노급(1z) 8Gb DDR4 양산 예정

 







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