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[Hello, Chips!] 삼성전자, 평택 2라인에 낸드플래시 생산라인 투자


[Hello, Chips!] 삼성전자, 평택 2라인에 낸드플래시 생산라인 투자


반도체 소식을 쉽고 빠르게 전달하는 Hello, Chips! 지난번 평택 EUV 파운드리 구축 소식에 이어, 오늘은 낸드플래시 투자 소식으로 돌아왔습니다.



삼성전자는 평택 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축하고, 내년 하반기부터 양산을 시작할 계획이라 밝혔는데요. 이는 변화하는 라이프스타일에 따라 증가하는 낸드플래시 수요에 대비하기 위함입니다.


낸드플래시는 D램과 함께 가장 대표적인 메모리 반도체입니다. D램은 전원이 꺼지면 데이터가 사라지지만, 속도가 매우 빠른데요. 비휘발성 메모리인 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 남아있습니다. 스마트폰 전원이 꺼져도 계속 저장되어 있는 사진 앨범은 낸드플래시를 활용한 것이죠. 그렇다면 낸드플래시의 중요성이 왜 커지고 있을까요?



코로나19 이후 온라인 강의나 영상회의 등 비대면 컨텐츠 소비가 늘면서 자연스레 ‘언택트(Untact)’가 메가 트렌드로 자리잡았고, 전세계 데이터센터들은 고화질 컨텐츠를 안정적으로 구현하기 위해 서버 확충에 나섰는데요. 데이터를 저장하는 서버용 SSD 수요가 급증하면서, SSD의 핵심인 낸드플래시 수요도 늘고 있습니다. 온라인 기반으로 변화하는 라이프스타일에 맞게 고성능 반도체 수요가 늘어나고 있는 것이죠. 


그리고 삼성전자는 빠르게 변화하는 IT시장의 변화에 대응하기 위해 적극적인 투자로 안정적인 공급 체계를 구축할 예정입니다. 중장기적인 관점에서 투자를 진행하는 삼성전자, 18년동안 낸드플래시 점유율 1위를 유지한 이유가 여기에 있었네요!



그 동안 삼성전자는 성능과 용량을 높이기 위해 반도체 회로의 폭, 즉 선폭을 줄이며 첨단 낸드플래시 개발을 주도해왔습니다. 하지만 데이터를 저장하는 셀을 점점 더 작게 만들다 보니, 10나노 이하의 회로 선폭에서 셀간 간섭현상이 심해지는 물리적 한계에 봉착했죠.


이에 삼성전자는 2006년부터 셀간 간섭현상을 줄이기 위해 평면으로 배열된 셀들을 수직으로 세우는 3차원 낸드플래시를 연구했습니다. 오랜 연구 끝에 2013년, 세계 최초의 3차원 셀구조의 ‘V낸드’ 양산에 성공합니다. 넓은 평지에 다닥다닥 붙어 있던 집(셀)들을 위로 쌓아 아파트(V낸드)를 만든 것이죠. 이는 세계 최초로 물리적 한계를 극복한 큰 사건으로, 2013년 24단으로 시작한 V낸드는 현재 100단이 훌쩍 넘어섰습니다.


한계를 기회로 만든 삼성전자의 혁신! 더 자세한 이야기는 플래시메모리 No.1 역사의 시작 에서 확인할 수 있습니다. 



그렇다면 V낸드는 높을수록 좋은 제품일까요? 아파트 층이 높아지면 많은 사람들이 살수 있지만, 일반 엘리베이터로 100층을 올라가려면 오랜 시간이 걸립니다. 층이 높아질수록 속도는 느려지는 것이죠.

 

삼성전자는 용량과 속도, 두 마리 토끼를 잡기 위해 수직으로 쌓아 올린 층에 가느다란 구멍을 균일하게 뚫어 ‘채널 홀’이란 통로를 만들었습니다. 이렇게 만든 고속 엘리베이터로 전자가 빠르게 이동할 수 있게 되었죠.


 

이처럼 삼성전자는 낸드플래시 1위를 지키기 위해 끊임없는 혁신을 지속해왔습니다. 앞으로도 차별화된 기술력과 적기 투자로 남들보다 빠르게 더 나은 낸드플래시를 선보일 계획인데요. 삼성전자가 변함없이 1위를 유지할 수 있기를 바랍니다. 더 자세한 내용은 영상으로 확인해 보세요!



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