삼성전자 반도체, IR52 장영실상 30주년 기념식에서 과학기술훈장 및 최우수상 수상!

지난 12월 6일, 우리나라 최고 권위의 산업기술인상인 ‘IR52 장영실상’ 30주년을 기념하는 행사가 열렸습니다.

‘IR52 장영실상’은 매일경제와 과학기술정보통신부·한국산업기술진흥협회가 1990년에 공동으로 제정해 우수한 신기술을 개발한 기업과 이에 앞장선 연구원에게 수여하는 상으로, 1991년 1월에 시상을 시작한 이래로 지금까지 1,600여 개의 제품, 약 6,100명의 연구원에게 상을 수여하며 우리나라의 산업 발전에 공헌해 왔습니다.

30주년을 맞은 올해 시상식에서는 과학기술진흥 유공 ‘IR52 장영실상 30주년 기념’ 정부 포상과 지난해 장영실상 최우수상, 올해 18~52주차 장영실상 수상 제품에 대한 시상식이 함께 진행되었는데요. 삼성전자 반도체는 System LSI사업부 박재홍 부사장을 비롯해 메모리사업부 D램개발실의 광대역폭 메모리 플래시볼트(HBM2E Flashbolt™) 기술이 수상의 영광을 안았습니다.

삼성전자 System LSI사업부 박재홍 부사장 과학기술훈장 수상

박재홍 삼성전자 System LSI사업부 Custom SOC사업팀장 부사장은 세계 최고 수준의 AP 개발은 물론, 제품 개발용 환경 및 협력 생태계 구축을 통해 대한민국 시스템 반도체 산업의 경쟁력을 높였다는 공로를 인정받아 IR52 장영실상 30주년 기념 과학기술훈장(혁신장)을 수상했습니다. 박재홍 부사장은 앞으로도 대한민국 시스템 반도체 산업을 발전시키기 위해 노력하겠다는 소회를 밝혔습니다.

삼성전자 메모리사업부 D램개발실 광대역폭 메모리 플래시볼트(HBM2E Flashbolt™) 최우수상 영예

한편, 차세대 D램 기술인 ‘광대역폭 메모리 플래시볼트(HBM2E Flashbolt™)’는 IR52 장영실상에서 ‘최우수상’ 수상의 영예를 안았습니다.

HBM2E Flashbolt™는 슈퍼컴퓨터 연산을 위한 고성능·대용량 D램으로, 기존 제품보다 더 많은 용량과 더 높은 속도를 원하는 고객사들의 요청을 충족시키기 위해 개발되었는데요. 인공지능(AI) 가속기가 필요로 하는 성능을 만족시킬 수 있는 유일한 메모리 제품이라는 점이 특징입니다.

HBM2E Flashbolt™는 고성능 그래픽 D램(GDDR6)과 비교해도 더 뛰어난 성능을 보여줍니다. 면적은 GDDR6의 절반이지만, 용량은 4배 가량 크며 초당 2.8배 더 많은 데이터를 처리할 수 있습니다. 또한, 세계 최초로 개발한 12단 적층 기술을 적용해 소비 전력도 기존 대비 3분의 1가량 감소시켰는데요, 복수의 칩을 적층하기 위해 머리카락의 20분의 1 이하 수준의 굵기인 실리콘 관통 전극(TSV: Through Silicon Via) 6만 개를 연결하는 3D-TSV 첨단 패키징 기술을 적용했습니다.

HBM2E Flashbolt™은 AI, 5G, 슈퍼컴퓨터 등에서 그 활용도가 무궁무진할 것으로 기대되며, 용량과 성능에 대한 시장의 기대도 점점 높아지고 있는데요. 삼성전자 메모리사업부 D램개발실은 앞으로 16단 적층 제품을 개발해 용량을 늘리고, 성능 측면에서도 6.4Gbps 이상의 제품을 개발하겠다는 포부를 밝혔습니다.

행사에 참석한 임혜숙 과학기술정보통신부 장관은 “30년 간 세계 최고·최초를 지향하는 혁신성으로 장영실상을 수상한 제품 하나하나가 우리 경제성장과 수출 강국의 크나큰 원동력이 되어왔다”며, “대한민국의 국제적 위상을 실감하고 있다”고 밝혔는데요. 대한민국은 물론, 세계적으로 반도체 산업의 미래를 밝혀 나갈 삼성전자 반도체의 혁신! 현재에 안주하지 않고 혁신에 도전하는 삼성전자 반도체의 행보를 기대해 주세요.