삼성전자가 이 달부터 세계 최초로 차세대 '20나노(1나노 : 10억분의 1미터) 4기가비트(Giga bit) DDR3(Double Data Rate 3) D램'을 본격 양산하기 시작했습니다. 이번에 양산에 성공한 20나노 D램에 삼성전자의 신개념 '개량형 이중 포토 노광 기술', '초미세 유전막 형성 기술'이 동시에 적용됐습니다. ☞ 삼성전자, 세계 최초 ‘20나노 4기가 비트 D램’ 양산 낸드 플래시는 셀(정보저장의 최소단위)이 트랜지스터 하나로 구성되어 구조가 비교적 단순한 반면, D램은 셀이 트랜지스터와 캐패시터 적층구조로 구성되기 때문에 20나노 공정 미세화가 기술적으로 매우 어려웠습니다. 삼성전자는 이러한 D램 미세화 공정의 기술한계를 독자기술인 '개량형 이중 포토 노광 기술'과 '초미세 유전..

삼성전자가 세계 최초로 20나노급(1나노: 10억분의 1미터) LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2) 4기가비트(Gb) 모바일 D램을 공급하며 4기가비트 메모리 시장 확대에 나섭니다. 저전력 대용량 모바일 라인업으로 고성장 모바일시장 주도 최근 쿼드코어 CPU를 탑재한 스마트폰 및 대화면 태블릿 등 고성능 모바일 기기들이 모바일 시장 성장을 주도함에 따라 더 빠른 처리 속도는 물론 장시간 배터리를 사용할 수 있는 저전력 대용량 메모리에 대한 기대치가 갈수록 높아지고 있는데요. 이에 따라 삼성전자는 이러한 고객의 요구에 대응할 수 있는 초절전 고성능 메모리로서 금년 3월 20나노급 8GB DDR3 노트북 모듈 양산에 이어, 지난 달부터 20나노급 4Gb LPDDR2 D램을 양산하..